一種全鈍化太陽能電池結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611232997.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106611804B 公開（公告）日 2017-12-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN106611804B 申請(qǐng)公布日 2017-12-08
分類號(hào) H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳文浩;黃石明;孫海平;劉仁中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥海潤(rùn)光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 合肥海潤(rùn)光伏科技有限公司
地址 230000 安徽省合肥市新站綜合開發(fā)實(shí)驗(yàn)區(qū)大禹路1288號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全鈍化太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括電池層和在所述電池層的側(cè)部形成的肖特基接觸金屬層，所述電池層包括N型硅基體，所述N型硅基體的正面設(shè)置有正面結(jié)構(gòu)層，所述N型硅基體的背面設(shè)置有背面結(jié)構(gòu)層，其中，所述正面結(jié)構(gòu)層包括設(shè)置于所述N型硅基體的正面的P型硅擴(kuò)散層，所述P型硅擴(kuò)散層的正面設(shè)置有鈍化減反膜，所述鈍化減反膜的正面設(shè)置有正面電極；所述背面結(jié)構(gòu)層包括設(shè)置于所述N型硅基體的背面的SiO2隧穿結(jié)，所述SiO2隧穿結(jié)的背面設(shè)置有N+硅層，所述N+硅層的背面設(shè)置有背面電極；所述正面結(jié)構(gòu)的靠近邊緣處的四周開設(shè)有邊緣隔離槽；該全鈍化太陽能電池結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)全部表面的鈍化，極大地提升太陽能電池效率。