溝槽柵逆導(dǎo)型IGBT器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110720251.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113451400A 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113451400A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫娜;李淑霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 315400浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號(hào)科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽柵逆導(dǎo)型IGBT器件，溝槽柵分成了第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，漂移區(qū)的背面通常形成有集電區(qū)和與集電區(qū)摻雜類型相反的背面源區(qū)，第二柵極結(jié)構(gòu)控制第二溝道形成的第二閾值電壓小于第一柵極結(jié)構(gòu)控制第一溝道形成的第一閾值電壓。第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極導(dǎo)電材料層和發(fā)射區(qū)一起都連接到發(fā)射極，由發(fā)射區(qū)、通過(guò)第一柵極導(dǎo)電材料層控制的基區(qū)、漂移區(qū)和集電區(qū)組成IGBT單元。由發(fā)射區(qū)、通過(guò)第二柵極導(dǎo)電材料層控制的基區(qū)、漂移區(qū)和背面源區(qū)組成反向恢復(fù)晶體管單元。本發(fā)明通過(guò)單極導(dǎo)電模式的反向恢復(fù)晶體管單元來(lái)輸運(yùn)反向恢復(fù)電流，能提高反向恢復(fù)的開關(guān)速度和功耗，改善反向恢復(fù)特性；還能改善器件的電容特性和柵電荷特性。