IGBT半橋模塊

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201920161495.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209374447U 公開(kāi)（公告）日 2019-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN209374447U 申請(qǐng)公布日 2019-09-10
分類(lèi)號(hào) H01L25/18（2006.01）I; H01L23/498（2006.01）I; H01L23/492（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢(qián)進(jìn); 軒永輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司; 杭州達(dá)新科技有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號(hào)科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種IGBT半橋模塊，包括：底板、芯片單元、陶瓷覆銅板、功率端子、信號(hào)端子和信號(hào)端子座；芯片單元包括IGBT芯片和FRD芯片；信號(hào)端子包括柵極信號(hào)端子和發(fā)射極信號(hào)端子，信號(hào)端子都直接焊接在陶瓷覆銅板上，IGBT芯片的柵極通過(guò)鋁線(xiàn)鍵合在陶瓷覆銅板上并引出到對(duì)應(yīng)的柵極信號(hào)端子上，IGBT芯片的發(fā)射極通過(guò)鋁線(xiàn)鍵合在陶瓷覆銅板上并引出到對(duì)應(yīng)的發(fā)射極信號(hào)端子上；陶瓷覆銅板直接焊接在所述底板上；信號(hào)端子支撐在對(duì)應(yīng)的信號(hào)端子座上。本實(shí)用新型能實(shí)現(xiàn)在制造或使用過(guò)程中提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。