半導(dǎo)體功率器件的終端結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510845704.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106803515A 公開（公告）日 2017-06-06
申請公布號 CN106803515A 申請公布日 2017-06-06
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高文玉;孫娜;陳智勇 申請（專利權(quán)）人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司;上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體功率器件的終端結(jié)構(gòu)，包括：多個P型場限環(huán)；介質(zhì)隔離條將P型場限環(huán)之間的N型半導(dǎo)體材料表面完全覆蓋；SIPOS層覆蓋在各P型場限環(huán)的表面上并延伸到介質(zhì)隔離條表面上；在SIPOS層表面覆蓋有介質(zhì)保護(hù)層。SIPOS層和P型場限環(huán)直接接觸，SIPOS層和N型半導(dǎo)體材料間隔有所述介質(zhì)隔離條，本發(fā)明通過介質(zhì)隔離條來減少SIPOS層和底部半導(dǎo)體材料接觸的面積從而減少漏電，通過SIPOS層和P型場限環(huán)直接接觸來提高耐壓一致性。本發(fā)明還公開了一種半導(dǎo)體功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明能降低終端漏電，提高器件耐壓以及耐壓一致性，工藝簡單。