MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420050226.8 申請日 -
公開（公告）號 CN203707142U 公開（公告）日 2014-07-09
申請公布號 CN203707142U 申請公布日 2014-07-09
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海濤;陳智勇;孫娜 申請（專利權(quán)）人 寧波達新半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達新半導體有限公司;上海達新半導體有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu)，終端結(jié)構(gòu)形成在終端區(qū)中，終端區(qū)環(huán)繞在主動區(qū)周側(cè)；主動區(qū)中的P阱和N-外延層形成的PN結(jié)為主結(jié)；終端結(jié)構(gòu)包括多晶硅場板、第一金屬場板、第二金屬場板和溝槽截止環(huán)；多晶硅場板由形成于主動區(qū)中的多晶硅柵延伸形成，且多晶硅場板下的第一介質(zhì)層厚度大于多晶硅柵下的柵介質(zhì)層厚度。溝槽截止環(huán)形成于終端區(qū)的最外側(cè)；在第一介質(zhì)層表面形成有第二介質(zhì)層，第一和二金屬場板形成于第二介質(zhì)層表面；在橫向上第一和二金屬場板之間相隔一段距離，第一金屬場板位于終端區(qū)的靠近P阱的一側(cè)、第二金屬場板位于終端區(qū)的靠近溝槽截止環(huán)的一側(cè)。本實用新型能降低終端結(jié)構(gòu)的占用面積、制作工藝難度和成本。