場終止型功率器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810003581.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109994544A 公開（公告）日 2019-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN109994544A 申請(qǐng)公布日 2019-07-09
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I; H01L29/868（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/324（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高文玉; 陳智勇; 孫娜; 斯海國 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司; 上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號(hào)科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種場終止型功率器件的制造方法，包括步驟：步驟一、提供一N型摻雜的單晶結(jié)構(gòu)的硅片；步驟二、在硅片的正面形成正面保護(hù)層以及在硅片的背面形成背面保護(hù)層；步驟三、在硅片的正面的選定區(qū)域中進(jìn)行形成終端保護(hù)環(huán)的P型離子注入；步驟四、在硅片的背面進(jìn)行全面的形成場終止區(qū)的N型離子注入；步驟五、進(jìn)行熱擴(kuò)散并分別在硅片的正面形成終端保護(hù)環(huán)以及在硅片的背面形成場終止區(qū)；步驟六、繼續(xù)完成后續(xù)的正面工藝以及背面工藝。本發(fā)明能夠使得場終止區(qū)和終端保護(hù)環(huán)采用相同的熱擴(kuò)散工藝同時(shí)退火激活，從而能降低工藝成本，還能保證場終止區(qū)和終端保護(hù)環(huán)的性能，以及不會(huì)影響到器件的其它摻雜區(qū)的性能。