一種反熔絲存儲(chǔ)單元及其數(shù)據(jù)讀寫(xiě)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110889462.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113345506A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113345506A 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) G11C17/16（2006.01）I;G11C7/22（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 王春華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京沁恒微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 210012江蘇省南京市雨花臺(tái)區(qū)寧雙路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種反熔絲存儲(chǔ)單元及其數(shù)據(jù)讀寫(xiě)電路，反熔絲存儲(chǔ)單元包括基底，基底上有一N阱和非N阱區(qū)，非N阱區(qū)上設(shè)有第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵極用于輸入第一選通信號(hào)，所述N阱上設(shè)有PMOS管和電容管，PMOS管與電容管的柵極均連接第一NMOS管的漏極，PMOS管的漏極、源極、襯底及電容管的漏極、源極、襯底均連接可控電源。本發(fā)明增加了可編程區(qū)域的面積，減小了存儲(chǔ)單元擊穿后的導(dǎo)通電阻，提高了可靠性，降低了成本，并有利于提高數(shù)據(jù)讀取速度。