一種具有高開關(guān)速度的平面柵器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921253115.6 申請日 -
公開（公告）號 CN210073861U 公開（公告）日 2020-02-14
申請公布號 CN210073861U 申請公布日 2020-02-14
分類號 H01L29/423;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 饒祖剛;王民安;項建輝;鄭科峰 申請（專利權(quán)）人 黃山芯微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖眾匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 安徽省祁門縣黃山電器有限責(zé)任公司;黃山芯微電子股份有限公司
地址 245600 安徽省黃山市祁門縣新興路449號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有高開關(guān)速度的平面柵器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，該平面柵器件結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底或外延層，所述半導(dǎo)體襯底或外延層上間隔設(shè)置有一組平面柵，所述平面柵包括設(shè)置在中間位置的第一柵電極絕緣層，從第一柵電極絕緣層向兩側(cè)延伸的第二柵電極絕緣層及設(shè)置在第一柵電極絕緣層和第二柵電極絕緣層上的柵電極，所述第一柵電極絕緣層的厚度大于第二柵電極絕緣層的厚度。該結(jié)構(gòu)的平面柵加工方法簡單且易于實現(xiàn)，具有該平面柵結(jié)構(gòu)的器件具有更低的柵漏電容，更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)功耗，可廣泛應(yīng)用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。