一種具有恢復(fù)特性的復(fù)合二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910725843.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110518013B | 公開(公告)日 | 2021-08-10 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110518013B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-10 |
分類號(hào) | H01L27/07;H01L29/32;H01L21/82 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 饒祖剛;王民安;項(xiàng)建輝;鄭科峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 黃山芯微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 曹宏筠 |
地址 | 245000 安徽省黃山市祁門縣新興路449號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有超快恢復(fù)特性的復(fù)合二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法,該二極管包括N+襯底,位于N+襯底背面的金屬化陰極和位于N+襯底正面的N型外延層;所述N型外延層上設(shè)置有一組向N型外延層內(nèi)延伸的P區(qū),所述P區(qū)在硅片有源區(qū)的N型外延層上均勻分布;相鄰P區(qū)之間的N型外延層表面設(shè)置有一層采用等離子體轟擊方式形成的缺陷層,所述P區(qū)和缺陷層上設(shè)置有一層肖特基勢(shì)壘金屬,肖特基勢(shì)壘金屬上設(shè)置有金屬化陽極。該器件結(jié)構(gòu)及其制造方法簡單且易于實(shí)現(xiàn),能夠獲得更快的恢復(fù)時(shí)間,降低器件的開關(guān)功耗,可以用于制造具有超快恢復(fù)特性的復(fù)合二極管(MPS)領(lǐng)域。 |
