一種壓接式二極管管芯制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110389795.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113223959A | 公開(公告)日 | 2021-08-06 |
申請公布號 | CN113223959A | 申請公布日 | 2021-08-06 |
分類號 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王民安;王日新;汪杏娟;鄭春鳴;黃永輝;王志亮 | 申請(專利權)人 | 黃山芯微電子股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) | 代理人 | 楊大慶 |
地址 | 245000安徽省黃山市祁門縣新興路449號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種壓接式二極管管芯及制作方法,包括以下步驟:1)制備二極管擴散片,2)腐蝕電壓槽,3)電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜,4)電壓槽玻璃鈍化,5)刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護的大部分陰極面和陽極面區(qū)域的鈍化膜,6)芯片與鉬片的焊接,7)陰極面蒸鋁,8)陰極面鋁層選擇腐蝕,9)鋁層微合金。進一步10)管芯陽極面鉬片單面多層金屬化,11)電壓槽涂覆第三保護層。焊接前對芯片測試,剔除掉不合格芯片,避免了鉬片等浪費,不合格芯片鉬片經(jīng)過處理后再次利用。電壓槽采用三層保護,降低管芯在高溫動態(tài)下測試的漏電流;鉬片設置鈦鎳銀多層金屬保護防止氧化,降低了熱阻和電阻,減少功耗。 |
