一種壓接式晶閘管管芯及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110388560.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113223960A 公開（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113223960A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L21/332（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L29/74（2006.01）I;B07C5/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王民安;王日新;汪杏娟;鄭春鳴;黃永輝;王志亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 黃山芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊大慶
地址 245000安徽省黃山市祁門縣新興路449號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種壓接式晶閘管管芯及制作方法，包括以下步驟：1）制備晶閘管擴(kuò)散片，2）腐蝕電壓槽，3）電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜，4）電壓槽玻璃鈍化，5）刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護(hù)的大部分陰極面和陽(yáng)極面區(qū)域的鈍化膜，6）芯片與鉬片的焊接，7）陰極面蒸鋁，8）陰極面鋁層選擇腐蝕，9）鋁層微合金。進(jìn)一步10）管芯陽(yáng)極面鉬片單面多層金屬化，11）電壓槽涂覆第三保護(hù)層。焊接前對(duì)芯片測(cè)試，剔除掉不合格芯片，避免了鉬片等浪費(fèi)，不合格芯片鉬片經(jīng)過(guò)處理后再次利用。電壓槽采用三層保護(hù)，降低管芯在高溫動(dòng)態(tài)下測(cè)試的漏電流；鉬片鈦鎳銀多層金屬保護(hù)防止氧化，降低了熱阻和電阻，減少功耗。