一種全鋁背結(jié)N型單晶太陽(yáng)能電池的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810859952.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109244151A 公開（公告）日 2019-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109244151A 申請(qǐng)公布日 2019-01-18
分類號(hào) H01L31/0224;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 勵(lì)小偉;梁海;賴儒丹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江啟鑫新能源科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡擁軍;糜婧
地址 315613 浙江省寧波市象山縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)濱海工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全鋁背結(jié)N型單晶太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟：S1.以N型單晶硅片作為基片，將硅片進(jìn)行制絨、清洗；S2.對(duì)步驟S1處理后硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散，以形成N+區(qū)；S3.對(duì)步驟S2處理后的硅片的背面進(jìn)行清洗以及拋光，然后在整個(gè)背面印刷鋁漿，然后燒結(jié)形成背結(jié)P區(qū)；S4.對(duì)步驟S3處理后的硅片進(jìn)行邊緣刻蝕；S5.對(duì)步驟S4處理后的硅片進(jìn)行酸洗以去除背面燒結(jié)后多余的鋁場(chǎng)以及證明的磷硅玻璃；S6.在步驟S5處理后的硅片的正面鍍減反射膜；S7.對(duì)步驟S6處理后的硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷以及燒結(jié)。