通孔結(jié)構(gòu)的制備方法、通孔結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110284739.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113053807A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113053807A 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H01L21/768;H01L23/528 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林豫立 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 250000 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場(chǎng)路7617號(hào)411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種通孔結(jié)構(gòu)的制備方法、通孔結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)在介質(zhì)層上開(kāi)孔，形成貫穿介質(zhì)層的第一導(dǎo)電通孔，再在停止層上開(kāi)孔，形成貫穿停止層的第二導(dǎo)電通孔，第二導(dǎo)電通孔與第一導(dǎo)電通孔連接，且第二導(dǎo)電通孔的線寬大于相鄰的第一導(dǎo)電通孔的線寬。通過(guò)在第一導(dǎo)電通孔的下部設(shè)置擴(kuò)孔狀的第二導(dǎo)電通孔，并通過(guò)第二導(dǎo)電通孔與第一導(dǎo)電層接觸，從而在后續(xù)填充時(shí)增大了與第一導(dǎo)電層的接觸面積，降低了接觸電阻，進(jìn)而提升了半導(dǎo)體器件的性能。