通孔結(jié)構(gòu)的制備方法、通孔結(jié)構(gòu)和半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110284739.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113053807A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113053807A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L21/768;H01L23/528 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林豫立 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 250000 山東省濟南市高新區(qū)機場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實施例提供了一種通孔結(jié)構(gòu)的制備方法、通孔結(jié)構(gòu)和半導體器件，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，通過在介質(zhì)層上開孔，形成貫穿介質(zhì)層的第一導電通孔，再在停止層上開孔，形成貫穿停止層的第二導電通孔，第二導電通孔與第一導電通孔連接，且第二導電通孔的線寬大于相鄰的第一導電通孔的線寬。通過在第一導電通孔的下部設(shè)置擴孔狀的第二導電通孔，并通過第二導電通孔與第一導電層接觸，從而在后續(xù)填充時增大了與第一導電層的接觸面積，降低了接觸電阻，進而提升了半導體器件的性能。