半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110281808.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113066799A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066799A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉學(xué)剛;李威諭 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚璐華
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述半導(dǎo)體器件包括：第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層包括至少一條第一走線；第二導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層包括至少一條第二走線；所述第一走線與所述第二走線交叉接觸；絕緣層，所述絕緣層位于所述第二導(dǎo)體層背離所述第一導(dǎo)體層的一側(cè)；通孔，所述通孔貫穿所述絕緣層，所述第一走線與所述第二走線的至少一個交叉位置上具有所述通孔；第三導(dǎo)體層，所述第三導(dǎo)體層位于所述絕緣層背離所述第一導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)體層的一側(cè)。本發(fā)明方案通過在第一走線與第二走線的至少一個交叉位置上設(shè)置通孔，并將其余的通孔按照盡可能多的均勻分布，可以使得同層金屬的連接性增加，提高可靠性。