一種晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110286665.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113066725A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113066725A 申請(qǐng)公布日 2021-07-02
分類(lèi)號(hào) H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹智穎 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚璐華
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場(chǎng)路7617號(hào)411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶體管及其制作方法，該制作方法包括：提供一隔絕層；在隔絕層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層背離隔絕層的一側(cè)形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述半導(dǎo)體層的隔絕區(qū)域；對(duì)所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成源極和漏極，所述隔絕區(qū)域位于所述源極和所述漏極之間；在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述源極的部分區(qū)域，以及所述漏極的部分區(qū)域；進(jìn)行刻蝕處理以刻蝕掉未被所述掩膜層覆蓋的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。通過(guò)對(duì)源極和漏極區(qū)域進(jìn)行刻蝕處理，在縮小源極和漏極尺寸的情況下，實(shí)現(xiàn)了一種更小尺寸更高集成度的晶體管架構(gòu)。與曝光技術(shù)的制作方法相比較而言，在工藝簡(jiǎn)單的前提下，還可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸的源極和漏極。