一種晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110286665.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113066725A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066725A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹智穎 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚璐華
地址 250101 山東省濟南市高新區(qū)機場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶體管及其制作方法，該制作方法包括：提供一隔絕層；在隔絕層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層背離隔絕層的一側(cè)形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述半導(dǎo)體層的隔絕區(qū)域；對所述半導(dǎo)體層的其它區(qū)域進行摻雜處理形成源極和漏極，所述隔絕區(qū)域位于所述源極和所述漏極之間；在所述阻擋層的側(cè)壁形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述源極的部分區(qū)域，以及所述漏極的部分區(qū)域；進行刻蝕處理以刻蝕掉未被所述掩膜層覆蓋的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。通過對源極和漏極區(qū)域進行刻蝕處理，在縮小源極和漏極尺寸的情況下，實現(xiàn)了一種更小尺寸更高集成度的晶體管架構(gòu)。與曝光技術(shù)的制作方法相比較而言，在工藝簡單的前提下，還可以實現(xiàn)更小尺寸的源極和漏極。