一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110275282.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113066724A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066724A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳慶煌;柯思羽;韋斌;劉志成 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 駱宗力
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其制作方法，對至少一個所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以在所述第二光刻膠層上形成第三溝槽，所有所述第三溝槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三溝槽的寬度與所述第一光刻膠層在所述第一溝槽側(cè)邊所有實體部的寬度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻膠層在所述第三溝槽側(cè)邊的實體部的寬度相同或不同。進(jìn)而，在去除犧牲層后以第二光刻膠層為掩膜制作鰭部，使得制作出的所有鰭部之間間距相同，且所有鰭部的線寬相同或至少一個鰭部的線寬與其余鰭部的線寬不同。由此優(yōu)化鰭式場效應(yīng)晶體管的制作工藝，進(jìn)而使得鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部的線寬可調(diào)。