光刻掩模版以及掩模版圖案成型方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110300142.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113156760A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113156760A 申請公布日 2021-07-23
分類號 G03F1/76（2012.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 孟祥鵬;孫延濤;陳慶煌;劉志成 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董艷芳
地址 250000山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N光刻掩模版以及掩模版圖案成型方法，涉及半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┌ǘ鄠€(gè)間隔排列的掩模條形圖的原始掩模圖案，并在每個(gè)掩模條形圖的兩側(cè)分別添加至少一個(gè)與該掩模條形圖間隔設(shè)置的散射條紋，使散射條紋的條紋延伸方向與對應(yīng)掩模條形圖的長度延伸方向平行，接著在每個(gè)掩模條形圖的兩個(gè)端部位置附近添加與該掩模條形圖間隔設(shè)置的輔助散射紋路，形成待曝光的目標(biāo)掩模版圖案，使具有目標(biāo)掩模版圖案的光刻掩模版在進(jìn)行曝光處理時(shí)，可通過輔助散射紋路提升由掩模條形圖曝光得到的曝光圖形的端部邊緣平緩度，從而在提升光刻工藝窗口的同時(shí)，改善與有效掩模圖案對應(yīng)的曝光圖案的邊緣內(nèi)縮狀況。