一種鰭式場效應(yīng)晶體管及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110224048.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113035957A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035957A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊忙;張玉靜;陳尚志 申請（專利權(quán)）人 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 駱宗力
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場路7617號411-2-9室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鰭式場效應(yīng)晶體管及半導(dǎo)體器件,通過在鰭式場效應(yīng)晶體管制程中二極管中形成由第一導(dǎo)電類型阱層、第二導(dǎo)電類型深阱層和第二導(dǎo)電類型阱層組成的二極管結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠減小鰭式場效應(yīng)晶體管制程中二極管的泄露電流情況；并且通過第一導(dǎo)電類型阱層、第二導(dǎo)電類型阱層和第二導(dǎo)電類型深阱層的占用面積的優(yōu)化設(shè)計，不僅提高了鰭式場效應(yīng)晶體管制程中二極管的性能，同時優(yōu)化了鰭式場效應(yīng)晶體管中二極管的設(shè)計，減少了其版圖設(shè)計的限制。