全環(huán)繞閘極水平貫穿式晶體管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110213264.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113035954A | 公開（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113035954A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
| 分類號(hào) | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 詹智穎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 嚴(yán)誠(chéng) |
| 地址 | 250000 山東省濟(jì)南市高新區(qū)機(jī)場(chǎng)路7617號(hào)411-2-9室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種全環(huán)繞閘極水平貫穿式晶體管及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。全環(huán)繞閘極水平貫穿式晶體管包括襯底、隔離層、閘極、絕緣層和器件單元；隔離層生長(zhǎng)在襯底上；多個(gè)閘極平鋪、間隔生長(zhǎng)在隔離層上；絕緣層生長(zhǎng)在閘極和隔離層上；至少一個(gè)器件單元生長(zhǎng)在絕緣層上。這樣，通過(guò)在隔離層上平鋪、間隔生長(zhǎng)多個(gè)閘極，全部的閘極可以一次性同時(shí)形成，不存在各個(gè)閘極單獨(dú)形成的情況，也不存在閘極制造順序不同的情況，各個(gè)閘極受到的負(fù)載相同，再在閘極和隔離層上生長(zhǎng)絕緣層和至少一個(gè)器件單元，各個(gè)器件單元之間不會(huì)存在明顯的電性差異。 |
