反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器、其集成電路及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910823544.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110491967A 公開（公告）日 2019-11-22
申請公布號 CN110491967A 申請公布日 2019-11-22
分類號 H01L31/173（2006.01）; H01L31/18（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃磊; 孫宏亮; 徐開凱; 趙建明; 施寶球; 范洋; 洪繼霖; 錢津超; 李建全; 曾尚文; 李洪貞; 廖楠; 徐銀森; 黃平; 劉繼芝; 陳勇 申請（專利權(quán)）人 廣東成利泰科技有限公司
代理機構(gòu) 石家莊科誠專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學(xué);重慶中科渝芯電子有限公司;廣東成利泰科技有限公司;四川芯合利誠科技有限公司;四川遂寧市利普芯微電子有限公司;四川晶輝半導(dǎo)體有限公司;成都智芯微科技有限公司;廣東氣派科技有限公司;上海朕芯微電子科技有限公司;四川藍彩電子科技有限公司;上海聯(lián)芯微電子科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質(zhì)層和頂層硅，第一襯底與頂層硅通過智能剝離技術(shù)鍵合；反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器包括制作在第一襯底中的硅光探測器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層硅中的硅光源。本發(fā)明還公開了上述光電隔離器的制作方法，并進一步公開了上述反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明提供了硅光源與硅光探測器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發(fā)明的光電隔離器可以與電路集成在同一個襯底上，硅光源與硅光探測器軸向堆疊，進一步降低了制造成本，具有較高的集成度，適用于光電隔離器的集成技術(shù)領(lǐng)域。