多晶硅SOI基板型光電耦合器、其集成電路及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910824277.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110518032A 公開（公告）日 2019-11-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN110518032A 申請(qǐng)公布日 2019-11-29
分類號(hào) H01L27/15;H01L21/84 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐開凱;馮新;李建全;趙建明;張寧;馮志成;黃興發(fā);李健兒;廖楠;徐銀森;洪繼霖;陳勇;施寶球;曾尚文;李洪貞;劉繼芝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東成利泰科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊科誠(chéng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學(xué);重慶中科渝芯電子有限公司;四川芯合利誠(chéng)科技有限公司;四川晶輝半導(dǎo)體有限公司;四川藍(lán)彩電子科技有限公司;四川遂寧市利普芯微電子有限公司;氣派科技股份有限公司;廣東成利泰科技有限公司;四川上特科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅SOI基板型光電耦合器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質(zhì)層和頂層多晶硅，頂層多晶硅通過低壓力化學(xué)氣相沉積法淀積在第一襯底上；光電耦合器包括制作在第一襯底中的硅光探測(cè)器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層多晶硅中的多晶硅光源。本發(fā)明還公開了上述光電耦合器的制作方法，并進(jìn)一步公開了上述光電耦合器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明的多晶硅光源與硅光探測(cè)器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發(fā)明的光電耦合器可以與電路集成在同一個(gè)襯底上，多晶硅光源與硅光探測(cè)器軸向堆疊，進(jìn)一步降低了制造成本，具有較高的集成度。本發(fā)明適用于光電耦合器的集成技術(shù)領(lǐng)域。