基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦、其放大集成電路及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910823552.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110416250A 公開（公告）日 2019-11-05
申請公布號 CN110416250A 申請公布日 2019-11-05
分類號 H01L27/15（2006.01）I; H01L31/105（2006.01）I; H01L33/26（2010.01）I; H01L33/42（2010.01）I; H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐開凱; 劉昱州; 趙建明; 李建全; 黃磊; 曾德貴; 施寶球; 孫宏亮; 廖楠; 徐銀森; 范洋; 洪繼霖; 曾尚文; 李洪貞; 劉繼芝; 陳勇 申請（專利權）人 廣東成利泰科技有限公司
代理機構 石家莊科誠專利事務所（普通合伙） 代理人 電子科技大學; 氣派科技股份有限公司; 廣安職業(yè)技術學院; 重慶中科渝芯電子有限公司; 四川芯合利誠科技有限公司; 四川遂寧市利普芯微電子有限公司; 四川藍彩電子科技有限公司; 廣東成利泰科技有限公司; 四川晶輝半導體有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦，包括使用集成電路工藝制作在第一襯底上的自下而上軸向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介質(zhì)層和硅光探測器。本發(fā)明還公開了上述基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦的制作方法、基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦的放大集成電路以及該放大集成電路的制作方法。本發(fā)明中基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦的硅光探測器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一個襯底上，器件集成度高、封裝尺寸減小、降低了制造難度和成本；本發(fā)明的基于異質(zhì)結薄膜光源的光耦，能夠與電路集成在同一個襯底上，同時光源與光探測器軸向堆疊，不僅縮短了光的傳輸距離，還能在提高集成度的同時減少光在傳播過程中的損耗。本發(fā)明適用于光電耦合器集成技術領域。