基于異質(zhì)結(jié)薄膜光源的全集成光電耦合器及其集成電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921445555.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN210110771U 公開(kāi)（公告）日 2020-02-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN210110771U 申請(qǐng)公布日 2020-02-21
分類號(hào) H01L27/15;H01L31/105;H01L33/26;H01L33/42;H01L21/82 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李建全;曾德貴;施寶球;徐開(kāi)凱;黃磊;趙建明;廖楠;徐銀森;曾尚文;李洪貞;洪繼霖;陳勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東成利泰科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊科誠(chéng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 電子科技大學(xué);四川藍(lán)彩電子科技有限公司;氣派科技股份有限公司;四川遂寧市利普芯微電子有限公司;廣東成利泰科技有限公司;四川芯合利誠(chéng)科技有限公司;四川晶輝半導(dǎo)體有限公司;重慶中科渝芯電子有限公司;廣安職業(yè)技術(shù)學(xué)院
地址 518100 廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道輔城坳社區(qū)平龍西路250號(hào)1#廠房301-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于異質(zhì)結(jié)薄膜光源的全集成光電耦合器，包括使用集成電路工藝制作在第一襯底上的自下而上軸向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介質(zhì)層和硅光探測(cè)器。本實(shí)用新型還公開(kāi)了上述基于異質(zhì)結(jié)薄膜光源的全集成光電耦合器的集成電路。本實(shí)用新型中基于異質(zhì)結(jié)薄膜光源的全集成光電耦合器的硅光探測(cè)器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一個(gè)襯底上，器件集成度高、封裝尺寸減小、降低了制造難度和成本；本實(shí)用新型的基于異質(zhì)結(jié)薄膜光源的全集成光電耦合器，能夠與電路集成在同一個(gè)襯底上，同時(shí)光源與光探測(cè)器軸向堆疊，不僅縮短了光的傳輸距離，還能在提高集成度的同時(shí)減少光在傳播過(guò)程中的損耗，適用于光電耦合器集成技術(shù)領(lǐng)域。