具有量子阱結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽能電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510076532.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104733548B 公開（公告）日 2017-03-01
申請公布號 CN104733548B 申請公布日 2017-03-01
分類號 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/046(2014.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李廷凱;李晴風(fēng);鐘真 申請（專利權(quán)）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 代理人 馬強(qiáng);劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有量子阱結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽能電池及其制造方法，在多結(jié)薄膜太陽能電池中，每一結(jié)的pin結(jié)構(gòu)的i層均采用晶體結(jié)構(gòu)相同而能隙不同的材料形成量子阱結(jié)構(gòu)。這種量子阱能夠分離和捕捉游離電子，在太陽光的激發(fā)下，形成較大電流而提高薄膜太陽能電池的效率。量子阱的勢壘高度可通過其相匹配材料的能隙來調(diào)節(jié)。量子阱的勢壘寬度可通過其相匹配材料的厚度來調(diào)節(jié)。同時(shí)每一結(jié)的pin結(jié)構(gòu)的i層的量子阱結(jié)構(gòu)避免了晶粒的異常長大和孔洞和裂縫的形成，制備了致密的、晶粒尺寸大小均勻、能隙匹配的高質(zhì)量的薄膜，同時(shí)，量子阱結(jié)構(gòu)有利于對太陽光的充分吸收。因而，進(jìn)一步提高了硅基薄膜太陽能電池的效率。