具有量子阱結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510076532.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104733548B 公開(kāi)（公告）日 2017-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN104733548B 申請(qǐng)公布日 2017-03-01
分類號(hào) H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/046(2014.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李廷凱;李晴風(fēng);鐘真 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 代理人 馬強(qiáng);劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽(yáng)市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有量子阱結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法，在多結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池中，每一結(jié)的pin結(jié)構(gòu)的i層均采用晶體結(jié)構(gòu)相同而能隙不同的材料形成量子阱結(jié)構(gòu)。這種量子阱能夠分離和捕捉游離電子，在太陽(yáng)光的激發(fā)下，形成較大電流而提高薄膜太陽(yáng)能電池的效率。量子阱的勢(shì)壘高度可通過(guò)其相匹配材料的能隙來(lái)調(diào)節(jié)。量子阱的勢(shì)壘寬度可通過(guò)其相匹配材料的厚度來(lái)調(diào)節(jié)。同時(shí)每一結(jié)的pin結(jié)構(gòu)的i層的量子阱結(jié)構(gòu)避免了晶粒的異常長(zhǎng)大和孔洞和裂縫的形成，制備了致密的、晶粒尺寸大小均勻、能隙匹配的高質(zhì)量的薄膜，同時(shí)，量子阱結(jié)構(gòu)有利于對(duì)太陽(yáng)光的充分吸收。因而，進(jìn)一步提高了硅基薄膜太陽(yáng)能電池的效率。