一種彌補(bǔ)多結(jié)多疊層的薄膜太陽(yáng)能電池微晶硅缺陷的太陽(yáng)能電池及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510069037.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104716220B 公開(kāi)（公告）日 2017-08-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN104716220B 申請(qǐng)公布日 2017-08-04
分類號(hào) H01L31/076(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊晶晶;李廷凱;譚學(xué)仕;毛炳雪;張峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 代理人 馬強(qiáng);劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽(yáng)市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種彌補(bǔ)多結(jié)多疊層的薄膜太陽(yáng)能電池微晶硅缺陷的太陽(yáng)能電池及方法。該電池具有p型非晶層和n型非晶層。該方法是：按照沉積膜層的順序，在沉積多結(jié)多疊層的薄膜太陽(yáng)能電池p型微晶層之后，沉積一層p型非晶層；并在沉積微晶本征層之后，沉積一層n型非晶層。對(duì)于較厚的微晶本征層，在其生長(zhǎng)過(guò)程中沉積一薄層本征非晶層來(lái)覆蓋微晶層生長(zhǎng)過(guò)程中因?yàn)榫ЯＯ嗷D壓和晶粒異常長(zhǎng)大所造成的裂痕縫隙和表面缺陷。通過(guò)控制p型，n型非晶層的參雜濃度，厚度，折射率，導(dǎo)電率，控制微晶層的晶化率60％‐80％，改善光的吸收，減少因此造成的漏電流，從而達(dá)到提升電池效率的目的。電池轉(zhuǎn)換效率可提升1％—10％，并具有較好的穩(wěn)定性。