具有梯度結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽能電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510174969.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104779309B 公開（公告）日 2018-05-18
申請公布號 CN104779309B 申請公布日 2018-05-18
分類號 H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李廷凱;李晴風;鐘真 申請（專利權(quán)）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機構(gòu) 長沙正奇專利事務所有限責任公司 代理人 馬強;劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有梯度結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽能電池及其制造方法，在多結(jié)薄膜太陽能電池中，包括至少一個pin結(jié)，所述pin結(jié)中的i層采用晶體結(jié)構(gòu)相同而能隙不同的材料形成能隙均勻降低的梯度結(jié)構(gòu)。這種梯度結(jié)構(gòu)的太陽能電池具有較寬的能譜范圍，能夠吸收更多的太陽光并轉(zhuǎn)化為電能，形成較大電流而提高薄膜太陽能電池的效率。同時所述pin結(jié)中的i層的梯度結(jié)構(gòu)的工藝控制避免了晶粒的異常長大和孔洞和裂縫的形成，制備了致密的，晶粒尺寸大小均勻可控，與太陽能譜較好匹配的高質(zhì)量的薄膜，同時，梯度結(jié)構(gòu)有利于對太陽光的充分吸收。因而，進一步提高了薄膜太陽能電池的效率。