具有過(guò)渡層的晶硅及碳化硅薄膜復(fù)合型單結(jié)PIN太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410699068.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104505419B 公開（公告）日 2017-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN104505419B 申請(qǐng)公布日 2017-01-11
分類號(hào) H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何湘衡;李廷凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 代理人 馬強(qiáng);劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽(yáng)市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有過(guò)渡層的晶硅及碳化硅薄膜復(fù)合型單結(jié)PIN太陽(yáng)能電池及其制備方法。所述太陽(yáng)能電池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同時(shí)設(shè)有過(guò)渡層；所述過(guò)渡層為一層或者多層，其中任意一層均為富硅氧化硅層。所述制備方法在硅片完成制絨、拋光和清洗后，加入了前氫化干燥處理，同時(shí)，在完成此過(guò)渡層的工藝后，加入了后氫化處理方式，兩種方法用于改善界面質(zhì)量和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。采用這種過(guò)渡層并采用了前氫化干燥處理和后氫化處理過(guò)的具有過(guò)渡層的晶硅及碳化硅薄膜復(fù)合型電池，可以在原來(lái)的基礎(chǔ)上將電池轉(zhuǎn)換效率提高10％以上。