多結多疊層硅基薄膜太陽能電池及其制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310588781.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103594536B 公開（公告）日 2017-04-19
申請公布號 CN103594536B 申請公布日 2017-04-19
分類號 H01L31/042(2014.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張峰;李廷凱;毛炳雪;譚學仕;楊晶晶 申請（專利權）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機構 長沙正奇專利事務所有限責任公司 代理人 馬強
地址 421001 湖南省衡陽市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種多結多疊層硅基薄膜太陽能電池及其制造方法。該方法包括：在鍍硅薄膜前對基板進預熱處理；在TCO前電極上形成p?A?SiC接觸層；在p?A?SiC接觸層上形成p?A?SiC窗口層；在p?A?SiC緩沖層上形成疊層i?A?SiC本征層。本發(fā)明采用寬帶隙接觸層來降低與TCO前電極之間的界面電阻，通過寬帶隙窗口層提升頂電池對短波長藍光的吸收，采用寬帶隙緩沖層減少界面壁壘，降低電池的串聯(lián)電阻及光吸收損失，同時在非晶碳化硅本征層中采用疊層結構，采用梯度式摻雜，形成具有梯度帶隙寬度的非晶碳化硅本征層，從而提高電池的短路電流密度及光電轉換效率。