高密度管腳QFN的封裝結(jié)構(gòu)與方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911203620.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111106089B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN111106089B 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L23/495;H01L23/544;H01L21/48;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹保冠;陳建超;于上家 申請（專利權(quán)）人 青島歌爾微電子研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王守梅;袁文婷
地址 266100 山東省青島市嶗山區(qū)松嶺路396號106室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高密度管腳QFN的封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括引線框架結(jié)構(gòu)，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括引線框架單元；其中，所述引線框架單元包括位于中部的芯片結(jié)合部以及圍繞所述芯片結(jié)合部分布的四組管腳結(jié)合部陣列，在所述管腳結(jié)合部陣列的管腳結(jié)合部中嵌入有至少一個(gè)半切割道絕緣件，所述半切割道絕緣件位于管腳半切線上，并將一個(gè)管腳結(jié)合部分隔為至少兩個(gè)管腳結(jié)合部。利用本發(fā)明，能夠有效增加管腳密度，從而提高封裝結(jié)構(gòu)的集成度。