一種微納晶體管
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201820534140.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN208208766U | 公開(公告)日 | 2018-12-07 |
申請公布號 | CN208208766U | 申請公布日 | 2018-12-07 |
分類號 | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 任遠;陳志濤;劉曉燕;潘章旭;李葉林;龔政;張佰君 | 申請(專利權)人 | 廣東能芯半導體科技有限公司 |
代理機構 | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 廣東省半導體產業(yè)技術研究院;廣東能芯半導體科技有限公司 |
地址 | 510000 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型實施例提出一種微納晶體管,涉及微納晶體管技術領域。所述微納晶體管包括襯底、緩沖層、外延層、勢壘層、柵極介質層、柵極金屬層、源極金屬層以及漏極金屬層,所述緩沖層鋪設于所述襯底,所述外延層的端部與所述緩沖層面連接,所述勢壘層鋪設與所述外延層上,所述柵極介質層鋪設于所述勢壘層上,所述柵極金屬層鋪設于所述柵極介質層上,所述源極金屬層與所述漏極金屬層分別鋪設于所述勢壘層的靠近兩端的位置,且制作所述緩沖層與所述外延層的材料相同。本實用新型實施例提供的微納晶體管具有減小了晶格失配與熱失配的優(yōu)點。 |
