混合陽極電極結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620672880.1 申請日 -
公開（公告）號 CN205911315U 公開（公告）日 2017-01-25
申請公布號 CN205911315U 申請公布日 2017-01-25
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉寧煬;陳志濤;劉曉燕;趙維;賀龍飛;王君君 申請（專利權(quán)）人 廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東世紀(jì)專利事務(wù)所 代理人 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院;廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 510651 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種混合陽極電極結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基二極管，包括襯底、外延層、電極及鈍化介質(zhì)絕緣層，所述電極的陰極電極是在外延層表面的陰極區(qū)域沉積金屬并退火而形成的歐姆接觸，所述電極的第一陽極電極是在外延層表面的第一陽極區(qū)域沉積低功函數(shù)金屬層而形成的第一個肖特基接觸，所述電極的第二陽極電極是在外延層表面的第二陽極區(qū)域先沉積極薄介質(zhì)層、再沉積高功函數(shù)金屬層而形成的第二個肖特基接觸，所述的兩個肖特基接觸共同形成混合陽極電極結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用低功函數(shù)金屬電極和高功函數(shù)金屬?極薄介質(zhì)電極的混合結(jié)構(gòu)，分別作為GaN基肖特基二極管的第一陽極和第二陽極，能夠在有效地降低器件開啟電壓的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步減小器件反向漏電流，改善器件表面電場分布，提高反向擊穿電壓，從而提高器件工作性能。