一種半導(dǎo)體鍍膜用晶片防護(hù)裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202020746942.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212152428U | 公開(公告)日 | 2020-12-15 |
申請公布號 | CN212152428U | 申請公布日 | 2020-12-15 |
分類號 | C23C14/24(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 謝岱宏 | 申請(專利權(quán))人 | 四川科爾威光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都慕川專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 四川科爾威光電科技有限公司 |
地址 | 610000四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路599號天府軟件園D6棟505號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體鍍膜用晶片防護(hù)裝置,主要解決現(xiàn)有半導(dǎo)體鍍膜時,對晶片的非鍍膜區(qū)進(jìn)行防護(hù)時,導(dǎo)致晶片受熱形變出現(xiàn)受損的問題。該晶片防護(hù)裝置包括與鍍膜設(shè)備內(nèi)的樣品臺固定連接的絕熱盤,以及與絕熱盤固定連接的伸縮式的晶片圓周卡套;所述絕熱盤包括與樣品臺固定連接的基礎(chǔ)層,設(shè)置于基礎(chǔ)層下方的真空腔,設(shè)置于真空腔下方的熱交換腔,以及設(shè)置于熱交換腔內(nèi)的冷卻水循環(huán)管道;其中,所述晶片圓周卡套與熱交換腔的下表面固定連接。通過上述設(shè)計(jì),本實(shí)用新型的晶片防護(hù)放置能夠有效的對晶片的外圓周的非鍍膜區(qū)進(jìn)行遮擋,同時還能避免晶片受熱膨脹受損,提高成品率。因此,適于推廣應(yīng)用。?? |
