一種延續(xù)單一生長中心制備碳化硅單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910900730.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110670123B 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN110670123B 申請公布日 2021-03-26
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張福生;楊昆;劉新輝;牛曉龍;路亞娟;尚遠航;李永超 申請（專利權）人 河北同光半導體股份有限公司
代理機構 北京盛詢知識產權代理有限公司 代理人 張海青
地址 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種延續(xù)單一生長中心制備碳化硅單晶的方法，屬于晶體生長領域。本發(fā)明通過選擇具有單一生長中心的碳化硅單晶生長前沿作為下次生長的籽晶，可以有效地避免生長初期出現的多核生長現象，經過多次延續(xù)單一生長中心后，碳化硅單晶中的成對反向螺位錯會發(fā)生聚并湮滅，從而可以降低單晶中的內部缺陷密度。通過本發(fā)明方法，能夠獲得質量越來越好的低缺陷密度碳化硅晶體。本發(fā)明制備的碳化硅單晶可以更好地應用在航天、航空、航母等國防軍工領域，也可廣泛地應用在工業(yè)自動化、新能源汽車、家電、5G通訊等民用領域。??