一種基于高純半絕緣碳化硅襯底制備周期性pn結(jié)石墨烯的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010713285.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111874891B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN111874891B 申請(qǐng)公布日 2021-11-16
分類(lèi)號(hào) C01B32/184（2017.01）I;H01L31/028（2006.01）I;H01L31/103（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類(lèi) 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 張福生;楊昆;路亞娟;劉新輝;牛曉龍;崔景光;尚遠(yuǎn)航 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京盛詢知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉靜
地址 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種基于高純半絕緣碳化硅襯底制備周期性pn結(jié)石墨烯的方法，屬于微電子材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用熱解碳化硅制備石墨烯的方法，首先利用氫刻蝕的方法在碳化硅襯底表面刻蝕出規(guī)則的臺(tái)階，再在刻蝕后的碳化硅硅面生長(zhǎng)出單層石墨烯條帶和緩沖層結(jié)構(gòu)交替的結(jié)構(gòu)。最后通過(guò)氫鈍化技術(shù)將原有的緩沖層結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閜型導(dǎo)電的石墨烯，而原有單層石墨烯仍保持為n型導(dǎo)電。從而就可以制備出周期性pn結(jié)石墨烯。本發(fā)明方法制備的高品質(zhì)周期性pn結(jié)石墨烯，可以廣泛地應(yīng)用在增強(qiáng)型光電探測(cè)器、光敏元件以及邏輯運(yùn)算場(chǎng)效應(yīng)晶體管等信息電子器件領(lǐng)域。