超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022961793.7 申請日 -
公開（公告）號 CN214346289U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214346289U 申請公布日 2021-10-08
分類號 B01J3/00（2006.01）I;B01J3/03（2006.01）I;C01B32/956（2017.01）I;C04B35/565（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 一般的物理或化學的方法或裝置;
發(fā)明人 靳啟忠;劉騰飛;白劍銘;陳滿;劉春播;段聰;趙煥君 申請（專利權）人 河北同光半導體股份有限公司
代理機構 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051 河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)，涉及碳化硅合成技術領域，由其制備的高純碳化硅粉體原料能夠廣泛用于半導體碳化硅單晶體的生長及高純碳化硅陶瓷樣品的制備。本實用新型所述的超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)中，爐室為圓筒形立式雙層水冷結構，爐室上安裝爐蓋，爐蓋為雙層水冷結構，紅外測溫組件位于爐蓋頂端，爐蓋可由電動升降機實現(xiàn)升降并旋開；爐室通過閘板閥、泵抽彎管與分子泵連接，組成系統(tǒng)主抽管路，爐室通過角閥、波紋管與機械泵相連，組成系統(tǒng)旁抽管路；樣品支撐機構與爐室底盤固定，感應加熱組件、測量組件分別與爐室側(cè)面法蘭固定。