一種基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910881831.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110656376B 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN110656376B 申請公布日 2021-02-26
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張福生;楊昆;路亞娟;劉新輝;牛曉龍;崔景光;尚遠(yuǎn)航 申請（專利權(quán)）人 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京盛詢知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張海青
地址 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法，屬于晶體生長領(lǐng)域。本發(fā)明通過在粉料和生長腔室內(nèi)放置偏向的生長組分導(dǎo)流裝置來調(diào)控生長組分流的傳輸方向和輸運組分流密度，優(yōu)先形成一條狹長的生長中心小面并保持一直處于生長面邊緣位置，從而使得所需單晶直徑內(nèi)維持均衡的臺階流生長模式，并可完整地維持籽晶的晶型，最終能夠獲得單一晶型高質(zhì)量的碳化硅晶體。本發(fā)明方法制備的高質(zhì)量碳化硅單晶，可廣泛地應(yīng)用在新能源電動汽車、機車牽引、工業(yè)自動化、不間斷電源、大功率充電樁以及能源互聯(lián)網(wǎng)等電力電子領(lǐng)域。??