一種基于可控生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910881831.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110656376B | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110656376B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張福生;楊昆;路亞娟;劉新輝;牛曉龍;崔景光;尚遠(yuǎn)航 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京盛詢知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張海青 |
| 地址 | 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于可控生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法，屬于晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)在粉料和生長(zhǎng)腔室內(nèi)放置偏向的生長(zhǎng)組分導(dǎo)流裝置來(lái)調(diào)控生長(zhǎng)組分流的傳輸方向和輸運(yùn)組分流密度，優(yōu)先形成一條狹長(zhǎng)的生長(zhǎng)中心小面并保持一直處于生長(zhǎng)面邊緣位置，從而使得所需單晶直徑內(nèi)維持均衡的臺(tái)階流生長(zhǎng)模式，并可完整地維持籽晶的晶型，最終能夠獲得單一晶型高質(zhì)量的碳化硅晶體。本發(fā)明方法制備的高質(zhì)量碳化硅單晶，可廣泛地應(yīng)用在新能源電動(dòng)汽車、機(jī)車牽引、工業(yè)自動(dòng)化、不間斷電源、大功率充電樁以及能源互聯(lián)網(wǎng)等電力電子領(lǐng)域。?? |
