一種低應(yīng)力碳化硅單晶的籽晶安裝裝置及晶體生長工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910762897.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110541195B | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請公布號 | CN110541195B | 申請公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 路亞娟;楊昆;牛曉龍;劉新輝;張福生 | 申請（專利權(quán)）人 | 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京盛詢知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張海青 |
| 地址 | 071066 河北省保定市北三環(huán)6001號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種低應(yīng)力碳化硅單晶的籽晶安裝裝置及晶體生長工藝，安裝裝置包括坩堝、坩堝蓋、固定安裝于所述坩堝內(nèi)壁上的環(huán)形石墨托、邊緣搭接在所述環(huán)形石墨托上的耐高溫支架環(huán)；碳化硅籽晶非生長面覆置有高純石墨超微細粉膠膜；所述有高純石墨超微細粉膠膜上表面粘接于所述耐高溫支架環(huán)的下表面；然后通過加熱坩堝內(nèi)的粉體，使籽晶表面進行晶體的生長，形成碳化硅晶體；本發(fā)明通過改變籽晶處理工藝及籽晶的安裝方法從而降低碳化硅晶體與坩堝蓋之間及碳化硅晶體內(nèi)部的應(yīng)力，消除從坩堝蓋中取晶體及晶體后續(xù)加工過程造成晶體開裂的問題，提高碳化硅晶體產(chǎn)率。?? |
