碳化硅晶體的切割方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110646302.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113334592A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113334592A 申請公布日 2021-09-03
分類號 B28D5/00（2006.01）I;B28D5/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分類 加工水泥、黏土或石料;
發(fā)明人 牛曉龍;楊昆;路亞娟;劉新輝;董永洋;周浩 申請（專利權）人 河北同光半導體股份有限公司
代理機構 北京連城創(chuàng)新知識產權代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種碳化硅晶體的切割方法，涉及碳化硅晶體技術領域，用于解決現(xiàn)有的碳化硅切割方法成本高、效率低且切割面粗糙的技術問題。本發(fā)明所述的碳化硅晶體的切割方法，包括以下步驟：根據具體的碳化硅晶體的晶體結構確定該晶體的解理方向或解理面；根據需要加工碳化硅晶體樣品的尺寸和形狀，確定需要切割的軌跡；采用特定的加工工藝，在確定的軌跡上制作出一定深度的凹槽；在已制作出的凹槽位置施加作用力，或對碳化硅晶體進行快速熱處理，使碳化硅晶體沿凹槽完全開裂，得到具有光滑平整斷面的小塊碳化硅單晶體。