一種高純石墨坩堝及高質(zhì)量碳化硅單晶制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910350037.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110055587B | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請公布號 | CN110055587B | 申請公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 路亞娟;劉新輝;牛曉龍;張福生;楊昆 | 申請（專利權(quán)）人 | 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京盛詢知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張海青 |
| 地址 | 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種高純石墨坩堝及高質(zhì)量碳化硅單晶制備方法，屬于晶體生長領(lǐng)域。本發(fā)明中通過高純石墨坩堝、碳化硅粉料和生長工藝相結(jié)合使得長晶過程原料表面能形成較大碳化硅結(jié)晶圓餅來阻擋坩堝底部原料的碳顆粒輸運，簡便、高效的降低碳化硅單晶生長過程中的碳粒子包裹體。?? |
