超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011438043.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112516916A | 公開(公告)日 | 2021-03-19 |
申請公布號 | CN112516916A | 申請公布日 | 2021-03-19 |
分類號 | C04B35/626(2006.01)I;B01J3/03(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;B01J3/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C01B32/956(2017.01)I | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
發(fā)明人 | 靳啟忠;劉騰飛;白劍銘;陳滿;劉春播;段聰;趙煥君 | 申請(專利權(quán))人 | 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許莉 |
地址 | 071051河北省保定市北三環(huán)6001號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng),涉及碳化硅合成技術(shù)領(lǐng)域,由其制備的高純碳化硅粉體原料能夠廣泛用于半導(dǎo)體碳化硅單晶體的生長及高純碳化硅陶瓷樣品的制備。本發(fā)明所述的超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)中,爐室為圓筒形立式雙層水冷結(jié)構(gòu),爐室上安裝爐蓋,爐蓋為雙層水冷結(jié)構(gòu),紅外測溫組件位于爐蓋頂端,爐蓋可由電動升降機(jī)實(shí)現(xiàn)升降并旋開;爐室通過閘板閥、泵抽彎管與分子泵連接,組成系統(tǒng)主抽管路,爐室通過角閥、波紋管與機(jī)械泵相連,組成系統(tǒng)旁抽管路;樣品支撐機(jī)構(gòu)與爐室底盤固定,感應(yīng)加熱組件、測量組件分別與爐室側(cè)面法蘭固定。?? |
