一種高純硫酸的連續(xù)生產(chǎn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011586083.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112279220A 公開（公告）日 2021-03-23
申請公布號 CN112279220A 申請公布日 2021-03-23
分類號 C01B17/90 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 王濤;王簫;趙繼舟;張雪梅;徐念;徐剛;徐浩;劉松 申請（專利權(quán)）人 蘇州香榭軒表面工程技術(shù)咨詢有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 汪青;向亞蘭
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)郭巷街道尹豐路39號1幢4層408室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高純硫酸的連續(xù)生產(chǎn)方法，包括依次進行的發(fā)煙硫酸的解析工序、三氧化硫的精制工序、三氧化硫的吸收工序以及真空等離子體脫二氧化硫工序，通過解析獲得二氧化硫含量低于0.4%的三氧化硫，通過精制使其中單項金屬陽離子含量低于5ppt、二氧化硫低于20ppm；在脫二氧化硫工序中，采用裝有填料并配備等離子激發(fā)裝置的脫氣塔，將硫酸自上而下通過脫氣塔，使硫酸在填料表面形成降膜，同時自下而上通入氧氣和使脫氣塔內(nèi)形成氧?二氧化硫等離子體，最終獲得高純硫酸。本發(fā)明生產(chǎn)效率高，能耗低，污染物排放少、工藝穩(wěn)定性和安全性好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，產(chǎn)品品質(zhì)好，可用于高集成度芯片的清洗和刻蝕。