鑄造單晶硅用籽晶的制備方法、鑄造單晶硅用籽晶、鑄造單晶硅

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011205548.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112376111B 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN112376111B 申請公布日 2022-05-24
分類號 C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B33/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;鄒貴付;甘勝泉;程小娟 申請（專利權(quán)）人 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌逸辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 338004 江西省新余市高新開發(fā)區(qū)賽維大道1950號江西賽維LDK太陽能高科技有限公司研發(fā)大樓2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄造單晶硅用籽晶的制備方法、鑄造單晶硅用籽晶和鑄造單晶硅。鑄造單晶硅用籽晶的制備方法的步驟為：利用定向凝固方法制備鑄造單晶硅錠；將所述鑄造單晶硅錠切割成原始籽晶；對所述原始籽晶進(jìn)行熱處理，得到所述籽晶，所述熱處理的溫度不高于1200℃。通過對鑄造單晶硅錠切割的原始籽晶進(jìn)行熱處理，可有效降低原始籽晶的晶體微缺陷，從而得到鑄造單晶硅用籽晶，而采用該籽晶得到的鑄造單晶硅錠的與采用單晶晶棒切割作為籽晶的鑄造單晶硅錠制備成的電池片的效率相當(dāng)。