一種鑄造類單晶用籽晶的重復利用方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010357713.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113564689A 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN113564689A 申請公布日 2021-10-29
分類號 C30B11/00（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 何亮;何新根;雷琦;毛偉;徐云飛;周成;羅鴻志;程小娟;鄒貴付;甘勝泉;陳仙輝 申請（專利權(quán)）人 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 熊永強
地址 338000江西省新余市高新經(jīng)濟開發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鑄造類單晶用籽晶的重復利用方法，包括：（1）將類單晶硅錠的開方尺寸相同的單晶硅籽晶拼接鋪設在坩堝底部，形成籽晶層；并利用該籽晶層制得類單晶硅錠；（2）將類單晶硅錠的底面朝上，將底面上的籽晶拼接縫用縫隙標記線標出，并使其延伸至類單晶硅錠的四個側(cè)面；對類單晶硅錠開方得到多個第一硅塊，且在開方前使開方鋼線與籽晶拼接縫對齊，將第一硅塊對應坩堝底部和開口的兩個端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶區(qū)域，得到回收后的多塊單晶硅籽晶，并標記每塊的類型；（3）將步驟（2）得到的籽晶按步驟（1）的方法進行再利用。該方法可實現(xiàn)籽晶的多次高質(zhì)量重復利用，降低了鑄造類單晶的籽晶成本。