鑄錠單晶硅塊的質(zhì)量判定方法和鑄錠單晶硅塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110976805.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113758905A 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN113758905A 申請公布日 2021-12-07
分類號 G01N21/63（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 羅鴻志;何亮;李建敏;張細根;范立峰;徐云飛;甘勝泉 申請（專利權）人 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
代理機構 南昌逸辰知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 董會明
地址 338000江西省新余市新余高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄錠單晶硅塊的質(zhì)量判定方法和鑄錠單晶硅塊，其步驟包括：（1）將鑄錠單晶硅塊的頭部統(tǒng)一去除30?60mm左右；（2）利用光致發(fā)光測試儀測量鑄錠單晶硅塊的頭部端面的光致發(fā)光測試圖片，并計算得到光致發(fā)光測試圖片的黑絲面積比例值DS；（3）測量并計算鑄錠單晶硅塊的端面面積S；（4）建立黑絲生長計算模型，確定硅塊去除長度L與預設端面黑絲面積比例值DL的關系式L（DL,?），其中，?為位錯生長角度；（5）根據(jù)預設端面黑絲面積比例值DL和關系式L（DL,?），計算得到硅塊去除長度L的值；（6）根據(jù)硅塊去除長度L的值進行鑄錠單晶硅塊的頭部去除。該方法通過將光致發(fā)光測試結合鑄錠單晶硅錠的生長特性，提出一種全新的鑄錠單晶硅塊頭部不同黑絲比例的去除方式。