芯片封裝結構
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011620049.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112466830A | 公開(公告)日 | 2021-03-09 |
申請公布號 | CN112466830A | 申請公布日 | 2021-03-09 |
分類號 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 彭建軍 | 申請(專利權)人 | 合肥祖安投資合伙企業(yè)(有限合伙) |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 230031安徽省合肥市高新區(qū)技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)望江西路800號合肥創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園A1樓308-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供的芯片封裝結構,提供一帶有Bump金屬凸點的芯片,將芯片的背面電鍍一層第一金屬層,所述芯片的至少一個側壁上電鍍一層第二金屬層,所述第一金屬層與所述第二金屬層連接,對電鍍好的芯片進行塑封形成塑封體,并引出引腳,引腳與Bump金屬凸點連接,引腳與第二金屬層連接。在同樣大小的封裝體空間內(nèi),能夠使空間利用率最大化,第二金屬層采用貼壁式設置,能夠大大降低空間的浪費,從而在同樣大小的封裝體空間內(nèi),能夠封裝更大尺寸的芯片。反之,同樣大小的芯片,采用本發(fā)明所提供的的封裝結構,能夠大大縮小封裝尺寸。另外,將所述第一金屬層與所述第二金屬層均暴露在外,能夠提高芯片的散熱效率,從而延長其使用壽命。?? |
