一種高頻快恢復(fù)二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711465726.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108183135A 公開（公告）日 2018-06-19
申請公布號 CN108183135A 申請公布日 2018-06-19
分類號 H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王興龍;王利軍;鄧令;劉章利 申請（專利權(quán)）人 重慶平偉伏特集成電路封測應(yīng)用產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶市前沿專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉伏特集成電路封測應(yīng)用產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
地址 405200 重慶市梁平區(qū)梁山鎮(zhèn)皂角村(雙桂工業(yè)園區(qū))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高頻快恢復(fù)二極管，該二極管在襯底層上設(shè)置有與襯底層導(dǎo)電類型相同的外延層，在外延層上設(shè)置有M個(gè)擴(kuò)散環(huán)，擴(kuò)散環(huán)的導(dǎo)電類型與外延層的導(dǎo)電類型相反，在同一BSIT結(jié)構(gòu)擴(kuò)散環(huán)的相鄰環(huán)之間的外延層上設(shè)置有與外延層導(dǎo)電類型相同的摻雜層，摻雜層橫向延伸入相應(yīng)擴(kuò)散環(huán)內(nèi)部一定距離，在摻雜層之上設(shè)置有第一金屬層形成肖特基勢壘；在形成的器件表面墊積絕緣保護(hù)層，絕緣保護(hù)層上設(shè)置有貫通至第一金屬層和擴(kuò)散環(huán)的金屬接觸孔，在絕緣保護(hù)層上設(shè)置有正面金屬層；在襯底層之下設(shè)置有背面金屬層。本發(fā)明能夠降低正向電壓導(dǎo)通時(shí)的損耗，大幅度降低反向漏電，以及大幅度提高反向耐壓。