共陽(yáng)極肖特基半導(dǎo)體的封裝工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610006518.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105609483B 公開（公告）日 2018-08-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN105609483B 申請(qǐng)公布日 2018-08-21
分類號(hào) H01L23/495 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬紅強(qiáng);王興龍;王強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶平偉伏特集成電路封測(cè)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶市前沿專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司;重慶平偉伏特集成電路封測(cè)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
地址 405200 重慶市梁平縣梁山鎮(zhèn)皂角村雙桂工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種共陽(yáng)極肖特基半導(dǎo)體的封裝工藝，包括以下步驟：(A)使用絕緣陶瓷燒結(jié)粘合工藝完成雙載體部分與散熱片部分的粘合；(B)使用高導(dǎo)熱軟焊料芯片焊接工藝完成上芯；(C)通過焊線鍵合共聯(lián)技術(shù)，將芯片陽(yáng)極與框架陽(yáng)極通過導(dǎo)線相連并完成導(dǎo)線壓焊；(D)塑封、去溢料、電鍍、切筋分粒成型、測(cè)試及包裝。使用普通肖特基芯片，采用雙載體部分和散熱片部分加陶瓷絕緣的方法，實(shí)現(xiàn)了散熱片與陰極絕緣，雙基島式載體區(qū)實(shí)現(xiàn)陰極分離，陽(yáng)極共用；利用現(xiàn)有設(shè)備，普通芯片實(shí)現(xiàn)了共陽(yáng)極封裝，滿足了市場(chǎng)需求，降低了生產(chǎn)成本，使產(chǎn)品可靠性得到保障，解決了普通肖特基芯片難以實(shí)現(xiàn)共陽(yáng)極封裝的難題。