一種H型與類H型超高頻射頻標(biāo)簽
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120350379.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214846781U | 公開(公告)日 | 2021-11-23 |
申請公布號 | CN214846781U | 申請公布日 | 2021-11-23 |
分類號 | G06K19/077(2006.01)I | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 田川;尹祖?zhèn)?李鑫 | 申請(專利權(quán))人 | 北京宏誠創(chuàng)新科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京瑞盛銘杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李績 |
地址 | 101111北京市通州區(qū)嘉創(chuàng)路10號院5號樓3層3-01 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提出了一種H型與類H型超高頻射頻標(biāo)簽,包括:載體、第一組件、多個第二組件和芯片,其中,所述第一組件形成在所述載體上,所述第一組件形成具有電接點的內(nèi)場循環(huán),以實現(xiàn)近場通訊;每個所述第二組件分別以預(yù)設(shè)夾角向外延伸形成在所述內(nèi)場循環(huán)的兩側(cè)邊緣上,每個所述第二組件形成第一外場循環(huán)和第二外場循環(huán),以形成遠場通訊,其中,所述第一外場循環(huán)和所述第二外場循環(huán)相連接;所述芯片與所述電接點連接以傳送電信號;其中,所述電信號通過所述內(nèi)場循環(huán)和所述第一外場循環(huán)進行傳遞。 |
