一種半導(dǎo)體制冷片及其在實時熒光定量PCR儀中的應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111519434.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113903853B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN113903853B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L35/18;H01L35/34;H01L23/38;C12M1/38;C12M1/34;C12M1/02;C12M1/00;B01L7/00;G01N21/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章賢駿;凌建鴻;翟致超;趙平平 申請（專利權(quán)）人 杭州安譽科技有限公司
代理機構(gòu) 北京國翰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李宇翔
地址 310016 浙江省杭州市江干區(qū)大農(nóng)港路1216號2號樓6層607室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體制冷片及其在實時熒光定量PCR儀中的應(yīng)用；即將熱電材料切成元件，做上電極，制得半導(dǎo)體制冷片。上述熱電材料的組成式為（EuaNdb）yRuxFe3?xCoSb12；其中，a+b=1，0.1≤x≤0.4，0.2≤y≤0.8；其制備方法包括：將金屬Co、Fe、Sb、Ru、Eu、Nd按原子比例置于石英管中，在真空條件下進行密封熔煉，然后迅速取出淬火，取出樣品，再次在相同條件下進行封裝，退火，取出研磨，置于石磨模具中，在真空下進行SPS熔煉，制得熱電材料。制得的半導(dǎo)體制冷片具有較高的塞貝克系數(shù)、ZT值、致密度以及較低的熱擴散率，且該半導(dǎo)體制冷片對電子元件具有優(yōu)良的降溫效果。