一種電壓比較電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110703622.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113364436A 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113364436A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H03K5/22 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 宋曉貞;王一鵬;張樹曉;屈坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中穎電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 胡林嶺
地址 200335 上海市長(zhǎng)寧區(qū)金鐘路767弄3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種電壓比較電路，包括：比較器和基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其中，所述比較器與所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路復(fù)用；所述比較器包括第一PMOS場(chǎng)效應(yīng)管MP1、第二PMOS場(chǎng)效應(yīng)管MP2、第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管MP3、第一偏置電流源Ib1、第二偏置電流源Ib2、以及第一晶體管Q1、第二晶體管Q2；所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路包括第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第一電阻R1和第二電阻R2、第三晶體管Q3。當(dāng)所述比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)，第二晶體管Q2的基極電壓作為所述比較器的INN端的基準(zhǔn)電壓，且基準(zhǔn)電壓為第二電阻R2上的壓降與第三晶體管Q3的發(fā)射極?基極電壓之和。